多晶硅按不同的用途可分為太陽能級多晶硅和電子級多晶硅兩類。太陽能級多晶硅的純度一般在5～7N，主要雜質(zhì)為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質(zhì)總含量≤0.2(太陽能三級品要求)。電子級多晶硅一般含Si＞99.9999%以上，超高純達(dá)到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導(dǎo)電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

 

油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化物、氯化物、灰塵及其他雜質(zhì)，對多晶硅的純度影響極大。在多晶硅設(shè)備制造、安裝和多晶硅生產(chǎn)過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶硅生產(chǎn)工藝，對不同潔凈度要求、不同材質(zhì)的設(shè)備采用不同的清洗方法。'

 

 

 

1、設(shè)備制造階段的清洗

 

金屬設(shè)備及管道、零件需要在除漆前將表面的氧化皮和鐵銹除掉，設(shè)備內(nèi)部的油脂、軋制鱗片、銹皮等也需要進(jìn)行清洗。

 

2、多晶硅設(shè)備安裝階段的清潔

 

由于工藝管道輸送的介質(zhì)特性及產(chǎn)品純度要求，對管道的焊接質(zhì)量及內(nèi)部清潔、吹掃試壓均有較高要求，對設(shè)備進(jìn)場驗收、檢驗及安裝、內(nèi)部處理也有較高要求，因此設(shè)備制造結(jié)束后的清洗處理至關(guān)重要。在裝置進(jìn)行試生產(chǎn)前期，系統(tǒng)注入四氯化硅進(jìn)行循環(huán)清洗約2～3個月，時間的長短取決于設(shè)備前期清洗情況。

 

3、多晶硅設(shè)備生產(chǎn)期間的清洗

 

還原爐和氫化爐是改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備，其運行好壞直接影響多晶硅質(zhì)量及生產(chǎn)成本。多晶硅生產(chǎn)對還原爐的沉積環(huán)境的潔凈度要求特別關(guān)鍵，任何顆粒性雜質(zhì)、油脂等物質(zhì)余留在爐內(nèi)，都會對產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。北京德高潔清潔設(shè)備有限公司經(jīng)過研發(fā)設(shè)計并制造出了多晶硅自動化還原爐鐘罩清洗系統(tǒng)，可以完全將多晶硅還原爐鐘罩清洗干凈，滿足生產(chǎn)需求。

 

德高潔電子級多晶硅還原爐鐘罩清洗系統(tǒng)包括低壓熱水清洗動力裝置、三維洗罐器、旋轉(zhuǎn)和升降執(zhí)行機構(gòu)、清洗工作臺、萬級凈化干燥系統(tǒng)、循環(huán)過濾系統(tǒng)、控制裝置、微負(fù)壓系統(tǒng)、清洗工作臺、電氣控制系統(tǒng)等，系統(tǒng)實現(xiàn)了鐘罩的全自動清洗和烘干操作。

 

 

電子級多晶硅還原爐鐘罩自動清洗系統(tǒng)特點：以水力自驅(qū)動三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網(wǎng)狀噴射來完成爐筒內(nèi)部表面的水力掃射。配以旋轉(zhuǎn)和升降的清洗吹干執(zhí)行機構(gòu)，準(zhǔn)確定位。操作簡單方便，系統(tǒng)控制，清洗、吹干自行調(diào)整。不僅可以滿足對內(nèi)壁和視孔鏡的清洗，同時也滿足了底部法蘭的清洗。

 

在整個還原爐的清洗過程中，清洗、干燥中筒內(nèi)形成微負(fù)壓狀態(tài)，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的污染物等一并吹掃，通過排污管排出，從而保證了整個過程不會對潔凈區(qū)造成污染。

 

生產(chǎn)多晶硅的工藝復(fù)雜，設(shè)備清洗是可以降低能耗保證多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的。多晶硅生產(chǎn)企業(yè)對設(shè)備須從選型、選材、清洗等方面進(jìn)行合理、科學(xué)的管理，應(yīng)用現(xiàn)代技術(shù)，進(jìn)行全程清洗，以充分發(fā)揮設(shè)備功效，為安全、高效生產(chǎn)創(chuàng)造條件。